| 主权项 |
1.一种电浆处理方法,系向真空容器内供给电浆处 理用气体,并向配置于该容器内的电极供给高频电 力,以对被处理物体进行电浆处理者,其特征在: 采用氟碳类气体作为前述电浆处理用气体,并间歇 性供给前述高频电力。 2.如申请专利范围第1项之电浆处理方法,其中,前 述氟碳类气体包含C4F8气体、C2F4气体、CF4气体、CF 3I气体中的任何一种气体。 3.如申请专利范围第1项或第2项之电浆处理方法, 其中,前述被处理物体是在表面形成有固体摄像元 件的矽晶圆。 4.一种电浆蚀刻方法,系将形成于半导体晶圆上的 绝缘膜进行电浆蚀刻者,其特征在具有: 将前述半导体晶圆导入真空容器内,向前述容器内 供给蚀刻用气体,并向配置于前述容器内的电极提 供高频电力,以对前述绝缘膜进行电浆蚀刻的步骤 , 采用氟碳类气体作为前述蚀刻用气体,并且间歇性 供给前述高频电力。 5.如申请专利范围第4项之电浆蚀刻方法,其中,前 述氟碳类气体包含C4F8气体、C2F4气体、CF4气体、CF 3I气体中的任何一种气体。 6.如申请专利范围第4项之电浆蚀刻方法,其中,前 述氟碳类气体系在C4F8气体、C2F4气体、CF4气体、CF 3I气体中的任何一种气体内添加有O2气体的气体。 7.如申请专利范围第4项至第6项中任一项之电浆蚀 刻方法,其中,前述半导体晶圆在表面上形成有固 体摄像元件。 8.一种固体摄像元件之制造方法,系具有: 在半导体晶圆的表面上形成固体摄像元件的步骤; 在已形成前述固体摄像元件的半导体晶圆上形成 绝缘膜的步骤; 在前述绝缘膜上选择性地形成光阻剂层的步骤;及 将前述光阻剂作为遮罩,藉由对前述绝缘膜进行电 浆蚀刻,从而在前述固体摄像元件的各像素上形成 由绝缘膜构成的微透镜的步骤, 而前述电浆蚀刻系采用氟碳类气体作为蚀刻用气 体,并且间歇性供给电浆产生用高频电力。 9.如申请专利范围第8项之固体摄像元件之制造方 法,其中,前述氟碳类气体包含C4F8气体、C2F4气体、 CF4气体、CF3I气体中的任何一种气体。 10.如申请专利范围第8项之固体摄像元件之制造方 法,其中,前述氟碳类气体是在C4F8气体、C2F4气体、 CF4气体、CF3I气体中的任何一种气体内添加有O2气 体的气体。 图式简单说明: 第1图是表示本发明实施例的图框传递型CCD的摄像 部的部分俯视图。 第2图是沿着第1图的X-X线的剖视图。 第3图(a)至(c)是表示本发明实施例的CCD的微透镜形 成步骤的剖视图。 第4图是表示本发明实施例的电浆蚀刻装置的构成 图。 第5图是表示用以测定CCD的暗电流的测定系统的剖 视图。 第6图是表示利用第5图的测定系统测定的CCD的暗 电流图。 第7图(a)及(b)是表示电浆蚀刻后的MOSFET的电荷供给 泵电流图。 第8图是表示氟碳类气体的电浆的发光光谱图。 第9图是表示对CCD造成的电浆损伤与发光光谱的关 系图。 第10图(a)及(b)是表示将脉冲时间调变电浆法的界 面能级降低效果与连续波电浆法进行比较的图。 |
