| 主权项 |
1.一种制备式I化合物之方法, 其中: R为苯基、异丙基、或第三丁基; R1为-C(O)RZ其中RZ为(CH3)3CO-、(CH3)3CCH2-、CH3(CH2)3O-、 环丁基、环己氧基、或(2-喃基); R2为CH3C(O)O-, 包含下述步骤: 令式II化合物 其中R2如上定义,R4为羟基保护基, 与式IV-内醯胺于硷存在时反应, 其中R1与R如上定义,R3为羟基保护基, 而制成式III化合物, 其中R,R1,R2,R3与R4如上定义;以及 (b)将式III化合物的羟基保护基R3与R4去保护而得出 式I化合物。 2.如申请专利范围第1项之方法,其中该羟基保护基 选自醚、二烷基矽烷基醚、三烷基矽烷基醚、二 烷基烷氧基矽烷基醚、酯与碳酸酯。 3.如申请专利范围第2项之方法,其中: 该醚羟基保护基为甲基、第三丁基、苯甲基、对 甲氧苯甲基、对硝基苯甲基、烯丙基、三苯甲基 、甲氧甲基、甲氧乙氧甲基、乙氧乙基、1-甲基-1 -甲氧乙基、四氢喃基、或四氢硫喃基; 该二烷基矽烷基醚羟基保护基为二甲基矽烷基; 该三烷基矽烷基醚羟基保护基为三甲基矽烷基、 三乙基矽烷基、或第三丁基二甲基矽烷基; 该二烷基烷氧基矽烷基醚羟基保护基为二异丙基 甲氧基矽烷基; 该酯羟基保护基为苯甲醯基、乙醯基、苯乙醯基 、甲醯基、单或二或三卤乙醯基; 该碳酸酯羟基保护基为甲基、乙基、2,2,2-三氯乙 基、烯丙基、苯甲基、或对硝基苯基。 4.如申请专利范围第1项之方法,其中R3系选自1-甲 基-1-甲氧基乙基(MOP)、三烷基矽烷基、与二烷基 烷氧基矽烷基;R4系选自二烷基烷氧基矽烷基、三 烷基矽烷基与基碳酸酯。 5.如申请专利范围第1项之方法,其中R3为三乙基矽 烷基或第三丁基二甲基矽烷基;R4为二异丙基甲氧 基矽烷基。 6.如申请专利范围第1项之方法,其中该步骤(b)包括 令式III化合物与至少一种选自氟离子来源与酸之 化合物接触。 7.一种制备式Ia化合物之方法, 包含下述步骤: 令式IIa化合物 其中R4为羟基保护基, 与式IVa-内醯胺于硷存在时反应, 其中R3为羟基护基, 而制成式IIIa化合物, 其中R3与R4如上定义;以及 (b)将式IIIa化合物的羟基保护基R3与R4去保护而得 出式Ia化合物。 8.如申请专利范围第7项之方法,其中该羟基保护基 选自醚、二烷基矽烷基醚、三烷基矽烷基醚、二 烷基烷氧基矽烷基醚、酯与碳酸酯。 9.如申请专利范围第8项之方法,其中: 该醚羟基保护基为甲基、第三丁基、苯甲基、对 甲氧苯甲基、对硝基苯甲基、烯丙基、三苯甲基 、甲氧甲基、甲氧乙氧甲基、乙氧乙基、1-甲基-1 -甲氧乙基、四氢喃基、或四氢硫喃基; 该二烷基矽烷基醚羟基保护基为二甲基矽烷基; 该三烷基矽烷基醚羟基保护基为三甲基矽烷基、 三乙基矽烷基、或第三丁基二甲基矽烷基; 该二烷基烷氧基矽烷基醚羟基保护基为二异丙基 甲氧基矽烷基; 该酯羟基保护基为苯甲醯基、乙醯基、苯乙醯基 、甲醯基、单或二或三卤乙醯基; 该碳酸酯羟基保护基为甲基、乙基、2,2,2-三氯乙 基、烯丙基、苯甲基、或对硝基苯基。 10.如申请专利范围第7项之方法,其中R3系选自1-甲 基-1-甲氧基乙基(MOP)、三烷基矽烷基、与二烷基 烷氧基矽烷基;R4系选自二烷基烷氧基矽烷基、三 烷基矽烷基与基碳酸酯。 11.如申请专利范围第7项之方法,其中R3为三乙基矽 烷基或第三丁基二甲基矽烷基;R4为二异丙基甲氧 基矽烷基。 12.如申请专利范围第7项之方法,其中该步骤(b)包 括令式IIIa化合物与至少一种选自氟离子来源与酸 之化合物接触。 13.一种制备式I化合物之方法, 其中: R为苯基、异丙基、或第三丁基; R1为-C(O)RZ其中RZ为(CH3)3CO-、(CH3)3CCH2-、CH3(CH2)3O-、 环丁基、环己氧基、或(2-喃基); R2为CH3C(O)O-, 包含下述步骤: 将式V化合物去保护 其中R与R2如上定义,R'为胺基保护基, 而制成式VI化合物, 其中R与R2如上定义,以及 (c)令式VI化合物与含有R1之化合物反应而将R1接至 式VI化合物之NH2。 14.如申请专利范围第13项之方法,其中该含有R1之 化合物选自醯基氯、氯甲酸酯与酸酐。 15.如申请专利范围第14项之方法,其中R'为BOC或CBZ 。 16.如申请专利范围第15项之方法,其中R为第三丁基 ,R1为-C(O)RZ,其中RZ为(CH3)3CO-。 17.一种式III化合物, 其中: R为苯基、异丙基、或第三丁基; R1为-C(O)RZ其中RZ为(CH3)3CO-、(CH3)3CCH2-、CH3(CH2)3O-、 环丁基、环己氧基、或(2-喃基); R2为CH3C(O)O-; R3与R4各独立为羟基保护基。 18.如申请专利范围第17项之化合物,其中该羟基保 护基选自醚、二烷基矽烷基醚、三烷基矽烷基醚 、二烷基烷氧基矽烷基醚、酯与碳酸酯。 19.如申请专利范围第18项之化合物,其中: 该醚羟基保护基为甲基、第三丁基、苯甲基、对 甲氧苯甲基、对硝基苯甲基、烯丙基、三苯甲基 、甲氧甲基、甲氧乙氧甲基、乙氧乙基、1-甲基-1 -甲氧乙基、四氢喃基、或四氢硫喃基; 该二烷基矽烷基醚羟基保护基为二甲基矽烷基; 该三烷基矽烷基醚羟基保护基为三甲基矽烷基、 三乙基矽烷基、或第三丁基二甲基矽烷基; 该二烷基烷氧基矽烷基醚羟基保护基为二异丙基 甲氧基矽烷基; 该酯羟基保护基为苯甲醯基、乙醯基、苯乙醯基 、甲醯基、单或二或三卤乙醯基; 该碳酸酯羟基保护基为甲基、乙基、2,2,2-三氯乙 基、烯丙基、苯甲基、或对硝基苯基。 20.如申请专利范围第17项之化合物,其中R3系选自1- 甲基-1-甲氧基乙基(MOP)、三烷基矽烷基、与二烷 基烷氧基矽烷基;R4系选自二烷基烷氧基矽烷基、 三烷基矽烷基与基碳酸酯。 21.如申请专利范围第17项之化合物,其中R3为三乙 基矽烷基或第三丁基二甲基矽烷基;R4为二异丙基 甲氧基矽烷基。 22.如申请专利范围第21项之化合物,其中R为第三丁 基;R1为-C(O)RZ其中RZ为(CH3)3CO-。 23.一种式V化合物, 其中: R为苯基、异丙基、或第三丁基; R'为胺基保护基; R2为CH3C(O)O-。 24.如申请专利范围第23项之化合物,其中R为第三丁 基。 25.如申请专利范围第24项之化合物,其中R'为BOC或 CBZ。 26.一种式VI化合物或其医药可接受盐类, 其中: R为苯基、异丙基、或第三丁基; R2为CH3C(O)O-。 27.如申请专利范围第26项之化合物,其中R为第三丁 基。 28.一种制备式IIm金属烷氧化物之方法, 其中R2为CH3C(O)O-,R4为羟基保护基,M为金属原子(离 子), 包含令式II化合物与金属硷反应 其中R2与R4如上定义。 29.如申请专利范围第28项之方法,其中该金属硷选 自二异丙醯胺锂、C1-6烷基锂、双(三甲基矽烷基) 醯胺锂、双(三甲基矽烷基)醯胺钠、双(三甲基矽 烷基)醯胺钾、苯基锂氢化钠、氢化钾、与氢化锂 。 30.如申请专利范围第28项之方法,其另包括令式IIm 金属烷氧化物与式IV-内醯胺反应, 其中: R为苯基、异丙基、或第三丁基; R1为-C(O)RZ其中RZ为(CH3)3CO-、(CH3)3CCH2-、CH3(CH2)3O-、 环丁基、环己氧基、或(2-喃基); R3为羟基保护基, 而制成式III化合物, 其中R、R1与R3如上定义,R2与R4如申请专利范围第28 项定义。 |
