| 主权项 |
1.一种半导体光检测器,其包括: 一基板,系一具有电气线路之结构,并在表面处至 少形成一第一金属层以及一第二金属层,且第一金 属层以及第二金属层系电气连接至该基板电气线 路之对应电气讯号输出入节点; 以及 一光检测元件,系一半导体光检测元件,其底端接 着于该基板上,且透过顶端接收入射光源; 其中,该基板之第一金属层以及第二金属层,系分 别与光检测元件之P电极层以及N电极层配合,并相 互接着而形成电气连接。 2.如申请专利范围第1项所述半导体光检测器,其中 ,该第一金属层以及第二金属层之面积,系分别对 应该P电极层以及N电极层,而形成局部的接触面积 。 3.如申请专利范围第1项所述半导体光检测器,其中 ,该第一金属层以及第二金属层之面积,系分别对 应该P电极层以及N电极层,而形成相近大小的接触 面积。 4.如申请专利范围第1项所述半导体光检测器,其中 ,该基板之第一金属层以及第二金属层,系分别与 光检测元件之P电极层以及N电极层配合,而相互接 着以固设该光检测元件于该基板上,并形成电气连 接。 5.如申请专利范围第1项所述半导体光检测器,其中 ,该光检测元件系一半导体光检测元件,其系包括 一P型层以及一N型层,而该N型层系位于P型层之上 方,该P型层系P型半导体(p-type semiconductor)材质所形 成,并在底部裸露处形成一欧姆接触之P电极层;且, 该N型层系N型半导体(n-type semiconductor)材质所形成, 并在底部裸露处形成一欧姆接触之N电极层。 6.如申请专利范围第5项所述半导体光检测器,其中 ,该光检测元件之N型层系直接裸露于顶端。 7.如申请专利范围第5项所述半导体光检测器,其中 ,该光检测元件系一氮化镓(GaN)系半导体光检测元 件,该P型层系P型之氮化镓材质所形成,且该N型层 系N型之氮化镓材质所形成。 8.如申请专利范围第1项所述半导体光检测器,其中 ,该基板可以系形成一导线架(lead fram),用以电气连 接至光检测元件,而提供该光检测元件的电气讯号 输出入。 9.如申请专利范围第1项所述半导体光检测器,其中 ,该P型层与N型层之间,可增加形成一中性层,该中 性层系本徵半导体(Intrinsic Semiconductor)材质所形成 。 10.如申请专利范围第9项所述半导体光检测器,其 中,该中性层系中性之氮化镓材质所形成。 图式简单说明: 第一图所显示为本发明之半导体光检测器的一种 较佳实施例的剖面示意图。 第二图所显示为本发明之半导体光检测器的另一 种较佳实施例的剖面示意图。 第三图所显示为习用半导体光检测器的剖面示意 图。 |
