发明名称 藉由曝光临界能量値来进行曝光计量器校正的方法
摘要 本发明系揭露一种藉由曝光临界能量值来进行曝光计量器校正的方法,其系先于一晶圆上涂布一光阻层,再利用一渐进式改变光源强度之步进式曝光法来对光阻层进行曝光,并同时以一曝光计量器量测晶圆所接受到的能量强度,然后对晶圆之光阻层进行显影,来获得光阻层之临界曝光能量值,再藉由该临界能量值来校正曝光计量器。
申请公布号 TWI245172 申请公布日期 2005.12.11
申请号 TW093128178 申请日期 2004.09.17
申请人 上海宏力半导体制造有限公司 GRACE SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CORPORATION 中国 发明人 朱炎;郑铭仁
分类号 G03F7/20;H01L21/027 主分类号 G03F7/20
代理机构 代理人 林火泉 台北市大安区忠孝东路4段311号12楼之1
主权项 1.一种藉由曝光临界能量値来进行曝光计量器校 正的方法,其包括下列步骤: 提供一晶圆; 于该晶圆表面涂布一光阻层; 以不同的曝光能量对该晶圆上之不同区域进行曝 光,且每一次不同能量曝光时,以一曝光计量器量 测该晶圆所接受曝光能量; 对该光阻层进行显影,以获得该光阻层之曝光临界 能量値;以及 以该曝光临界能量値对该曝光计量器进行校正。 2.如申请专利范围第1项所述之藉由曝光临界能量 値来进行曝光计量器校正的方法,其中该晶圆为一 控片。 3.如申请专利范围第1项所述之藉由曝光临界能量 値来进行曝光计量器校正的方法,其中该曝光方式 为步进式曝光法。 图式简单说明: 第一图系本发明之步骤流程图。 第二图系为将晶圆区分成不同区块与进行步进式 曝光之曝光次序的示意图。 第三图系为光阻层于不同曝光能量来进行曝光下, 产生光阻层未均匀曝光的示意图。
地址 中国