发明名称 PROCEDE DE DEPOT SELECTIF D'UN REVETEMENT GALVANIQUE SUR UN CIRCUIT ELECTRIQUE MINIATURISE REALISE PAR GRAVURE CHIMIQUE
摘要 <P>Le procédé comporte les étapes suivantes :• on dépose une couche d'un produit photosensible (2) sur une bande métallique pleine (1);• on positionne un premier masque équipé d'une pluralité de fenêtres en regard de ladite couche de produit photosensible (2) ;• on insole puis on développe une partie de ladite couche de produit photosensible (2), de façon à générer des trous dans cette couche photosensible (2), le fond des trous étant formé par la face supérieure de la bande métallique (1) ;• on dépose au moins une couche de revêtement galvanique (5) à l'intérieur des trous au contact de la bande métallique (1) ;• on dépose une couche de protection (6) au niveau de la face supérieure de la couche de revêtement galvanique (5) ;• on positionne un second masque (13) équipé d'une pluralité de fenêtres (18) en regard de la couche de produit photosensible (2) ;• on insole puis on développe une partie de la couche photosensible (2) et de façon à laisser apparaître localement la face supérieure ;• on réalise une gravure chimique de la bande métallique (1) au niveau de la face supérieure, de façon à éliminer une partie de la bande métallique (1) et à former des pistes conductrices (1) ;• on dissout totalement la couche de produit photosensible (2) et la couche de protection (6) pour ne conserver que les pistes conductrices (1) comportant une pluralité de plots de connexion (5) formés par au moins une couche de revêtement galvanique (5).</P>
申请公布号 FR2871335(A1) 申请公布日期 2005.12.09
申请号 FR20040051092 申请日期 2004.06.02
申请人 POSSEHL ELECTRONIC FRANCE SA SOCIETE ANONYME 发明人 LAM KAM MING
分类号 H01L21/48;H05K3/06;H05K3/20;H05K3/24;(IPC1-7):H05K3/24 主分类号 H01L21/48
代理机构 代理人
主权项
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