发明名称 基板处理装置
摘要 本发明提供一种基板处理装置,其包含形成了容纳基板1、供给多种反应气体、并对所述基板实施所需处理的空间的反应容器11;开口于反应容器11、用于排出反应容器11内气体的排气口16;以及向反应容器11至少供给多种反应气体的气体供给系统70A、70B。所述气体供给系统70A、70B包括供给清洁气体的清洁气体供给单元和供给后处理用气体的后处理用气体供给单元,所述清洁气体用于除去对基板1实施所需处理时附着在反应容器11内的附着物,所述后处理用气体能够在供给清洁气体并除去了附着物之后除去反应容器11内残留的清洁气体中所含元素,所述后处理用气体包含对基板实施所需处理时使用的全部反应气体。
申请公布号 CN1706031A 申请公布日期 2005.12.07
申请号 CN200380101505.7 申请日期 2003.11.06
申请人 株式会社日立国际电气 发明人 境正宪;岛信人;奥田和幸
分类号 H01L21/205;H01L21/31;C23C16/44 主分类号 H01L21/205
代理机构 北京市金杜律师事务所 代理人 杨宏军
主权项 1.一种基板处理装置,其含包以下部分:形成容纳基板、供给多种反应气体、并对所述基板实施所需处理的空间的反应容器,开口于所述反应容器、用于将所述反应容器内排气的排气口,向所述反应容器至少供给所述多种反应气体的气体供给系统;所述气体供给系统包括供给清洁气体的清洁气体供给单元和供给后处理用气体的后处理用气体供给单元,所述清洁气体用于除去对所述基板实施所需处理时附着在反应容器内的附着物,所述后处理用气体能够在供给所述清洁气体并除去了附着物之后除去反应容器内残留的清洁气体中所含元素;所述后处理用气体包含对所述基板实施所需处理时使用的全部反应气体。
地址 日本东京都