半导体封装结构及其制造方法

摘要

一种半导体封装结构及其制造方法，尤其是一种晶片型态扩散型封装结构及其制造方法，包含切割芯片后，经过筛选，将芯片粘着于玻璃底座上，再将粘于芯片上的金属垫的I/O接头植球的位置，以扩散型方式，将接触点往外扩散到芯片的边缘甚至芯片的外围，此种接触点往外扩散，由于有较大的范围来植入I/O植球，可以增加I/O植球的数目，增加更多I/O接触点，减少由于接触点距过于接近所造成的讯号干扰及焊锡接头过于接近时造成的焊锡桥接问题。适用于8寸与12寸晶片的封装过程，可以包含到芯片与电容以及多芯片或多种被动元件。

主权项

1、一种晶片型态扩散型封装结构，其特征是；它包含芯片配置于绝缘基座之上，晶片包含多个铝垫形成于其上；BCB层涂布于该芯片表面，并具有多个第一开口暴露该多个铝垫；焊锡填充于该第一开口；第一环氧树脂涂布于该芯片、绝缘基座及BCB层之上；铜导线配置于该第一环氧树脂并与该焊锡连接；第二环氧树脂涂布于该铜导线之上，并具有第二开口暴露部分的该铜导线；锡球配置于该第二环氧树脂之上，并填入该第二开口与该铜导线连接，且该锡球形成于铜导线的外侧或远离铝垫的一边。