| 发明名称 | 一种程序化单一位元储存SONOS型存储器的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种程序化单一位元储存SONOS型存储单元的方法，该单一位元储存SONOS型存储单元包含有介于左位元线与右位元线之间的沟道区域、用以储存数字信息的复合介电层以及字符线，该方法包含有：对该单一位元储存SONOS型存储单元执行一左侧电子注入，其是提供该字符线一相对高的字符线电压(V<SUB>WL，HIGH</SUB>)、提供该左位元线一相对高的左位元线电压(V<SUB>LBL，HIGH</SUB>)、提供该右位元线一相对低的右位元线电压(V<SUB>RBL，LOW</SUB>)；以及对该单一位元储存SONOS型存储单元执行一右侧电子注入，其是提供该字符线相对高的字符线电压(V<SUB>WL，HIGH</SUB>)、提供该左位元线一相对低的左位元线电压(V<SUB>LBL，LOW</SUB>)、提供该右位元线一相对高的右位元线电压(V<SUB>RBL，HIGH</SUB>)。 | ||
| 申请公布号 | CN1705039A | 申请公布日期 | 2005.12.07 |
| 申请号 | CN200410046204.5 | 申请日期 | 2004.05.31 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 李自强;石忠勤 |
| 分类号 | G11C16/02 | 主分类号 | G11C16/02 |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人 | 王一斌 |
| 主权项 | 1.一种程序化单一位元储存SONOS型存储单元的方法，该单一位元储存SONOS型存储单元包含有介于左位元线与右位元线之间的沟道区域、用以储存数字信息的复合介电层以及字符线，该方法包含有：对该单一位元储存SONOS型存储单元执行一左侧电子注入，其是提供该字符线一相对高的字符线电压(VWL，HIGH)、提供该左位元线一相对高的左位元线电压(VLBL，HIGH)、提供该右位元线一相对低的右位元线电压(VRBL，LOW)；以及对该单一位元储存SONOS型存储单元执行一右侧电子注入，其是提供该字符线相对高的字符线电压(VWL，HIGH)、提供该左位元线一相对低的左位元线电压(VLBL，LOW)、提供该右位元线一相对高的右位元线电压(VRBL，HIGH)。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹市 | ||