| 发明名称 | 表面态驰豫区的半导体可饱和吸收镜 | ||
| 摘要 | 一种表面态驰豫区的半导体可饱和吸收镜，其特征在于，包括：一衬底；一缓冲层，该缓冲层制作在衬底上；一布拉格反射镜，该布拉格反射镜制作在缓冲层上，形成一高反射率的反射镜；一吸收区，该吸收区制作在布拉格反射镜上，采用常温生长的吸收区，非饱和损耗较小；一盖层，该盖层制作在吸收区上，该盖层与空气间高密度的表面态是载流子驰豫的通道。 | ||
| 申请公布号 | CN1705175A | 申请公布日期 | 2005.12.07 |
| 申请号 | CN200410046063.7 | 申请日期 | 2004.06.03 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 王勇刚;马骁宇 |
| 分类号 | H01S3/098;G02B1/02;G02B5/00 | 主分类号 | H01S3/098 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汤保平 |
| 主权项 | 1、一种表面态驰豫区的半导体可饱和吸收镜，其特征在于，包括：一衬底；一缓冲层，该缓冲层制作在衬底上；一布拉格反射镜，该布拉格反射镜制作在缓冲层上，形成一高反射率的反射镜；一吸收区，该吸收区制作在布拉格反射镜上，采用常温生长的吸收区，非饱和损耗较小；一盖层，该盖层制作在吸收区上，该盖层与空气间高密度的表面态是载流子弛豫的通道。 | ||
| 地址 | 100083北京市海淀区清华东路甲35号 | ||