发明名称 |
无铬膜与相转移混合式光掩模的制造方法和使用该掩模的照相腐蚀制造方法 |
摘要 |
一种使用无铬膜与相转移混合式光掩模的照相腐蚀制造方法,其首先提供一光掩模,其中此光掩模上形成有一栅极图案,且此栅极图案的一关键尺寸处形成有一180度的相转移层。之后,进行一曝光制造过程,以将光掩模上的栅极图案转移至一光致抗蚀剂层。 |
申请公布号 |
CN1230717C |
申请公布日期 |
2005.12.07 |
申请号 |
CN02156383.7 |
申请日期 |
2002.12.18 |
申请人 |
联华电子股份有限公司 |
发明人 |
林金隆;杨春晖;洪文田 |
分类号 |
G03F7/20;G03F1/14;H01L21/027 |
主分类号 |
G03F7/20 |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 |
代理人 |
陶凤波;杨梧 |
主权项 |
1.一种使用无铬膜与相转移混合式光掩模的照相腐蚀制造方法,包括下列步骤:提供一光掩模,其中该光掩模上形成有一栅极图案,且该栅极图案包括一关键尺寸处和一非关键尺寸处,其中该关键尺寸处形成有一180度的相转移层,该非关键尺寸处为一非透光区,且该关键尺寸处的厚度比其他非栅极图案处的厚度厚;以及进行一曝光制造过程,以将该光掩模上的栅极图案转移至一光致抗蚀剂层。 |
地址 |
台湾省新竹科学工业园区 |