| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种半导体器件，包含：形成了埋入氧化物层的第一半导体区域；不存在所述埋入氧化物层的第二半导体区域；在所述第一半导体区域和所述第二半导体区域的交界处，形成深度至少到达所述埋入氧化物层的沟；以及埋入所述沟中的分离用绝缘物层；其中，所述分离用绝缘物层的底面与所述第二半导体区域的侧面所成的角度为钝角。 | ||
| 申请公布号 | CN1230890C | 申请公布日期 | 2005.12.07 |
| 申请号 | CN02160875.X | 申请日期 | 2002.12.27 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 永野元;山田敬;佐藤力;水岛一郎;藤井修 |
| 分类号 | H01L21/84 | 主分类号 | H01L21/84 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，包含：形成了埋入氧化物层的第一半导体区域；不存在所述埋入氧化物层的第二半导体区域；在所述第一半导体区域和所述第二半导体区域的交界处，形成深度至少到达所述埋入氧化物层的沟；以及埋入所述沟中的分离用绝缘物层；其中，所述分离用绝缘物层的底面与所述第二半导体区域的侧面所成的角度为钝角。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||