半导体装置及其制备方法

摘要

一种以与布线层自对准的方式简单地形成微型接触孔的方法。在硅基片的表面上形成栅绝缘膜，栅极和保护绝缘层，将掩蔽绝缘膜沉积在整个表面上以覆盖源/漏扩散层。接着，在掩蔽绝缘膜上层压层间绝缘膜。将氮气加入到C₅F₈和O₂的混合气体中，得到的混合气体用等离子体激发，以作为蚀刻气体。使用掩蔽绝缘膜作为蚀刻阻挡者，采用反应性离子蚀刻(RIE)蚀刻层间绝缘膜，以形成接触孔。保护绝缘层优选使用氮化硅膜。掩蔽绝缘层优选氮化硅膜或碳化硅膜。

主权项

1.一种半导体装置的制备方法，包括下列步骤：将氧化物膜覆盖在形成于半导体基片表面上的扩散层或下布线上，以用氧化物膜形成第一层间绝缘膜；形成按照金属膜和第一氮化硅膜这个顺序层压在所述第一层间绝缘膜上的金属膜和第一氮化硅膜；将所述第一氮化硅膜和所述金属膜处理成布线图案，以形成上层布线；将第二氮化硅膜沉积在整个表面上，使所述第二氮化硅膜施加到被处理成所述布线图案的所述第一氮化硅膜的顶面和侧面上，以及所述上层布线的侧面；形成氧化物膜的第二层间绝缘膜，以覆盖所述第一层间绝缘膜上的所述第二氮化硅膜；和在所述第二层间绝缘膜上形成具有接触孔图案的蚀刻掩膜，使用所述的蚀刻掩膜，通过干法蚀刻穿透所述第二层间绝缘膜，随后用处理成所述布线图案的所述第一氮化硅膜和所述第二氮化硅膜作为蚀刻掩膜，干法蚀刻所述第一层间绝缘膜，以形成延伸到所述扩散层或所述下层布线的接触孔，其中含氮的气体加入到碳氟化合物气体中以作为蚀刻气体。