| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种在存储单元中通过接点把阱固定为希望的电位，不会引起存储单元面积的增大，能够提高锁定抗性，并能够容易地制造的半导体装置及其制造方法。其构成为，在具有在设在硅基板(100)上的P阱(101)内形成了N型杂质区域(110)的MOS晶体管，具有用于对该P阱(101)提供GND电位的GND接点(130)的半导体装置中，预先蚀刻除去了杂质区域(110)的一部分，在该蚀刻除去了的区域的硅基板(100)上形成了P型的供电用的扩散层(131)，通过与该供电用的扩散层(131)连接的GND接点(130)进行对P阱(101)的供电。 | ||
| 申请公布号 | CN1705130A | 申请公布日期 | 2005.12.07 |
| 申请号 | CN200510075443.8 | 申请日期 | 2005.06.01 |
| 申请人 | 恩益禧电子股份有限公司 | 发明人 | 富泽友博 |
| 分类号 | H01L27/11;H01L27/088;H01L29/78;H01L21/8244;H01L21/336;H01L21/28 | 主分类号 | H01L27/11 |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 陆锦华;樊卫民 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置，具有在设在半导体基板上的一导电型的阱内形成了反导电型的杂质区域的元件，具有用于对所述阱提供规定的电位的接点，其特征在于，先蚀刻除去了所述杂质区域的一部分，在该蚀刻除去了的区域的所述半导体基板上形成了一导电型的供电用的杂质区域，通过该供电用的杂质区域进行对所述阱的供电。 | ||
| 地址 | 日本神奈川 | ||