| 发明名称 | 沉积氧化膜的装置和方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了沉积氧化膜的装置和方法。该方法包括采用含有硅源气体、氧气和氢气的处理气体混合物，在800－1300℃的处理温度下在衬底上沉积氧化膜。在氧化膜沉积期间，处理气体混合物中含有6％以下的氧气、硅气体和主要的氢气。 | ||
| 申请公布号 | CN1705768A | 申请公布日期 | 2005.12.07 |
| 申请号 | CN200380101492.3 | 申请日期 | 2003.10.08 |
| 申请人 | 应用材料有限公司 | 发明人 | R·N·安德森;P·B·科米塔;A·瓦尔德豪尔;N·B·赖利 |
| 分类号 | C23C16/40;C23C16/52 | 主分类号 | C23C16/40 |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 赵蓉民 |
| 主权项 | 1.一种形成氧化膜的方法，其包括：提供第一衬底；采用包括硅源气体、氧气和氢气的处理气体混合物，于800℃-1300℃的处理温度下在所述第一衬底上沉积氧化膜，其中在所述沉积期间，所述处理气体混合物包括6％以下的氧气、硅气体和主要的氢气。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||