制造接触的方法，制造太阳能电池方法和太阳能电池

摘要

一种硅的自掺杂电极主要由与硅形成低共熔的一种金属(主成分)构成。P-型掺杂剂(对于正电极)或n-型掺杂剂(对于负电极)与主成分熔成合金。在硅衬底上施加主成分与掺杂剂的合金，在施加以后，将合金和衬底加热至高于主成分-硅低共熔温度，以使主成分比硅衬底的低共熔比例熔化得多。随后将温度向低共熔点方向下降，使熔融硅通过液相外延重整，并同时使掺杂剂原子进入重生长晶格。在温度降至低于主成分-硅低共熔点的温度以后，未重生长进入晶格的硅与主成分和剩余未使用的掺杂剂形成固相合金，这使得主成分、硅和未使用的掺杂剂成为最终接触材料。

主权项

1.一种制造太阳能电池的方法，包括：形成第一种浆料，其中该浆料包括第一种颗粒，各颗粒为第一种金属与第一种掺杂剂的合金，其中第一种掺杂剂能够掺杂一种半导体材料形成为第一种类型的半导体材料；在第一半导体的第一表面施加第一种浆料，其中第一半导体已经掺杂成为第二种类型的半导体材料，并且该第二种类型与所述第一种类型相反；将第一种浆料和第一半导体加热至第一温度点以上，以使至少第一种浆料的一部分和第一半导体的一部分形成熔融的第二种合金；将第二种合金冷却，以使包含在熔融的第二种合金中的第一种掺杂剂的至少一部分，加入到第一半导体的外延重生长区域中，其中外延重生长区域的至少一部分与第一半导体形成整流结，并且其中整流结的至少一部分可暴露在太阳照射之下，该太阳照射并未通过外延重生长区域；将第二种合金冷却至第一温度点以下，其中第二种合金形成与所述重生长区域的至少一部分为欧姆电接触的固态第一接触；并对第一半导体施加欧姆接触，以形成太阳能电池的第二电接触，所述第一半导体是硅，所述浆料是包含银颗粒和锑颗粒的浆料，所述第一种类型为n型，所述第二种类型为p型。