具应变通道层的晶圆的制作方法

摘要

本发明揭露一种具应变通道层的晶圆的制作方法。首先，提供一具有一多孔硅层的第一基材，进行第一热处理以在多孔硅层表面形成一第一硅表面层。接着，外延成长一松弛的硅锗层于第一硅表面层上，在松弛的硅锗层上形成一接合层，再将接合层与一第二基材接合。移除多孔硅层及第一基材，并将接合层及松弛的硅锗层保留于第二基材上。进行第二热处理以在松弛的硅锗层表面上形成一第二硅表面层。最后，外延成长一外延硅层于第二硅表面层上。成长于松弛的硅锗层上的外延硅层将具有张力应变。

主权项

1、一种半导体基材的制作方法，该方法至少包括下列步骤：提供一第一基材，该第一基材的一表面上具有一多孔硅层；在该第一多孔硅层上形成一第一硅表面层；在该第一硅表面层上形成一硅锗层；在该硅锗层上形成一接合层；接合该接合层至一第二基材；移除该第一基材及该多孔硅层，并在该第二基材上保留该接合层及该硅锗层；在该硅锗层上形成一第二硅表面层；以及在该第二硅表面层上形成一硅层。