非挥发性记忆体及其操作方法

摘要

本发明公开了一种非挥发性记忆体及其操作方法，该非挥发性记忆体的记忆胞为单闸极，其在一半导体基底上内嵌一电晶体及一电容结构，电晶体包含一第一导电闸极堆叠在一介电层表面，且二侧形成有离子掺杂区以作为源极及汲极，电容结构则包含一离子掺杂区及其上堆叠的介电层、第二导电闸极，且电容与电晶体的导电闸极相电连接而形成记忆胞的单浮接闸极；其中半导体基底为P型或N型。另外，对于该单闸极记忆胞，提出逆向偏压的程序化写入以及相关的抹除及读取等操作方式。

主权项

1、一种非挥发性记忆体，其特征在于该记忆体包括：一半导体基底；一电晶体结构，位于该半导体基底的表面，该电晶体包含一第一介电层位于该半导体基底表面上、一导电闸极叠设于该第一介电层上方、以及数第一离子掺杂区位于该半导体基底内，分别作为其源极及汲极；以及一电容结构，位于该半导体基底的表面，该电容结构包含一第二离子掺杂区于该半导体基底内、一第二介电层位于该第二掺杂区表面上，以及一第二导电闸极叠设于该第二介电层上方，其中，该第一及第二导电闸极为隔离且为电连接，作为单浮接闸极。