| 发明名称 | 具有形成在电容器上的可流动绝缘层的半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明揭露一种具有形成在电容器上的可流动绝缘层的半导体装置，及其制造方法。尤其，该半导体装置包含：形成在衬底预定部分之上的电容器；通过在包括衬底和电容器的结果衬底结构上堆叠可流动绝缘层和未掺杂的硅酸盐玻璃层形成的绝缘层；和形成在绝缘层上的金属相互连接线。该方法包含下列步骤：在衬底的预定部分之上形成电容器；通过在包括衬底和电容器的结果衬底结构上，堆叠可流动绝缘层和未掺杂硅酸盐玻璃层，形成绝缘层；和在绝缘层上形成金属相互连接线。 | ||
| 申请公布号 | CN1705129A | 申请公布日期 | 2005.12.07 |
| 申请号 | CN200410103497.6 | 申请日期 | 2004.12.28 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 安尚太;辛东善;宋锡杓;辛钟汉 |
| 分类号 | H01L27/108;H01L21/8242;H01L21/82 | 主分类号 | H01L27/108 |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 王学强 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置，包含：形成在衬底的预定部分之上的电容器；通过在包括衬底和电容器的结果衬底结构上堆叠可流动绝缘层和未掺杂的硅酸盐玻璃层而形成的绝缘层；及形成在绝缘层上的金属相互连接线。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||