| 发明名称 | 包含电容器及较佳平面式晶体管的集成电路装置及制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明说明了一种集成电路装置(140)，尤其是一种含有一较佳平面式晶体管(142)与一电容器(144)的集成电路装置(140)，该电容器(144)的底部电极与该晶体管(142)的一信道区域共同排列在一SOI基板中，该电路装置(140)易于制造且具有绝佳的电子特性。 | ||
| 申请公布号 | CN1706045A | 申请公布日期 | 2005.12.07 |
| 申请号 | CN200380101668.5 | 申请日期 | 2003.10.10 |
| 申请人 | 因芬尼昂技术股份公司 | 发明人 | R·布雷德洛;J·哈特维奇;C·帕查;W·雷斯纳;T·舒尔滋 |
| 分类号 | H01L27/12;H01L21/84 | 主分类号 | H01L27/12 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 吴立明;梁永 |
| 主权项 | 1.一种集成电路装置(140)，其具有一电性绝缘绝缘区域及至少一组区域，该组区域形成一电容器(144)且该电容器(144)依下列顺序包含：一靠近该绝缘区域的电极区域(34)，一介电区域(46)，以及一远离该绝缘区域的电极区域(56)，该绝缘区域是排列在一平面中的一绝缘层(14)的一部份，该集成电路装置(140)的该电容器(144)与至少一主动组件(142)是排列在该绝缘层(14)的同一侧，而靠近该绝缘区域的该电极区域(34)与该组件(142)的主动区域(84)是排列在一平行于该绝缘层(14)所在平面的平面中。 | ||
| 地址 | 德国慕尼黑 | ||