发明名称 |
小面积像素电极直接平板X-线探测器 |
摘要 |
本发明属X-线探测设备技术领域,公开了一种小面积像素电极直接平板X-线探测器,其由一个个像素单元组成,每一个像素单元由负高压电极板、X-线敏感介质和像素电极组成,所述像素电极与像素的面积之比小于10%,以使在像素电极附近区域形成一个高密度电场区域并在像素单元芯片上留有足够的空间作划片槽及压焊点。本发明是一种低剂量、能抑制电子散射现象和涨落噪声并可进行小面积芯片单层无缝拼接的X-线平板直接探测器。 |
申请公布号 |
CN1230693C |
申请公布日期 |
2005.12.07 |
申请号 |
CN02152061.5 |
申请日期 |
2002.11.26 |
申请人 |
张亚美;王亚平 |
发明人 |
王亚平 |
分类号 |
G01T1/24 |
主分类号 |
G01T1/24 |
代理机构 |
广州新诺专利商标事务所有限公司 |
代理人 |
罗毅萍 |
主权项 |
1、小面积像素电极直接平板X-线探测器,由一个个像素单元组成,每一个像素单元由负高压电极板、X-线敏感介质和像素电极组成,其特征是:所述像素电极(1)与像素(2)的面积之比小于10%,以使在像素电极(1)附近区域形成一个高密度电场区域(4)并在像素(2)单元芯片上留有足够的空间作划片槽(5)及压焊点(6)。 |
地址 |
511431广东省广州市番禺区洛溪新城海棠居5街31号 |