| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 提供一种提高漏极耐压的半导体器件。本发明的半导体器件的特征是，在P型半导体基板1内形成P阱区域5，在其上至少形成膜厚度厚的栅绝缘膜9和膜厚度薄的栅绝缘膜10，隔着该膜厚度厚的栅绝缘膜9和膜厚度薄的栅绝缘膜10形成栅电极(25E)，被离子注入到上述栅电极(25E)下部的阈值电压调整用的杂质，只在上述膜厚度薄的栅绝缘膜10的下部进行。 | ||
| 申请公布号 | CN1230909C | 申请公布日期 | 2005.12.07 |
| 申请号 | CN02127752.4 | 申请日期 | 2002.08.08 |
| 申请人 | 三洋电机株式会社 | 发明人 | 菊地修一;木绵正明 |
| 分类号 | H01L29/78;H01L21/336 | 主分类号 | H01L29/78 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
| 主权项 | 1、一种半导体器件，具有横跨在厚度不同的栅绝缘膜上形成的栅电极以及与该栅电极相邻形成的源漏区域，所述栅绝缘膜形成于半导体层上，其特征在于：在上述栅电极的下方形成的阈值电压调整用的离子注入层，在上述源区域侧和上述漏区域侧具有不同的杂质浓度。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||