发光二极管结构

摘要

本发明涉及一种发光二极管结构，特别是一种以化合物半导体材料制成的发光二极管，光由多重量子阱结构的有源区发射出来，有源区被上下两层的InGaAlP与上层的包覆层以三明治型态包覆，有源区的发光效率可在发光二极管中增加光线与电子反射层而获得加强，InGaAlP的外延层是用有机金属气相外延法(OMVPE)在具有一薄厚度的GaAs基底上，其中此基底具有良好的组件可行性、亮度、以及发光

主权项

1.一种发光二极管结构，其特征在于，该发光二极管结构包含：一底层金属接触层；一具有一第一导电性的一GaAs基底，该GaAs基底位于该底层金属接触层上面，且该GaAs基底倾斜角度大于10度，并斜切朝向<111>A面；一具有第一导电性的一缓冲层，该缓冲层位于该GaAs基底上面；一具有该第一导电性的一光反射层，该光反射层位于该缓冲层的上面；一具有该第一导电性的一第一包覆层，该第一包覆层位于该光反反射层上面；一有源层，该有源层位于该第一包覆层上面；一具有一第二导电性的一第二包覆层，该第二包覆层位于该有源层上面，其中该第二导电性相反于该第一导电性；一中间阻挡层，该中间阻挡层位于该第二包覆层上面；一电流阻挡层，该电流阻挡层位于该中间阻挡层上面；一窗户层，该窗户层位于该电流阻挡层上面；及一顶层金属接触层，该顶层金属接触层位于该窗户层上面。