至少带有一个电容器的集成电路装置及其制造制作方法

摘要

用电镀方法在辅助层(H)的凹槽(V1、V2)中制成第一个电容器电极(P1)和至少这个电容器的第二个电极(P2)的一部分，最后清除辅助层(H)并且至少有一部分由电容器介质(KD)代替。第一个电容器电极(P1)和部分第二个电容器电极(P2)可以用金属铂制成。电容器介质(KD)可以用BST制成。

主权项

1.一种带有至少二个电容器的集成电路装置，-在这种电路装置中每一个电容器都是设置在一个基片(1)的表面上，-第一个电容器电极(P1)和至少是电容器的第二个电容器电极(P2)的一部分设置成使第一个电容器电极(P1)和第二个电容器电极(P2)该部分的侧面相对，-电容器电极(P1)和(P2)的该部分是用难以腐蚀的材料制成，-第一个电容器电极(P1)和第二个电容器电极(P2)的该部分相对的侧面之间设置电容器的介质(KD)，-电容器介质是用一种钙钛矿制成，-只有第二个电容器电极(P2)的该部分是用一预定金属制成，-第一个电容器电极(P1)主要是用该预定金属制成，-将第一个电容器电极(P1)设置在吸附层(HF)的第一部分上，将第二个电容器电极(P2)设置在吸附层(HF)的第二部分上，因此吸附层(HF)至少是用钌、铱、钼、它们的氧化物、Ta和TaN材料中的一种制成，-多个存储单元中各自的电容器的第二个电容器电极(P2)的该部分之间相互连接。