半导体器件

摘要

本发明涉及半导体器件。它包括半导体岛、第一和第二杂质区、沟道区、栅电极、物质添加区。其中，晶体生长由物质添加区一直延伸至第一和第二杂质区的部分才终止。它还包括至少一种导线。半导体岛包含绝缘表面上形成的结晶硅，含0.01-5原子％的氢。杂质区可以是一对n-型或P-型杂质区。沟道区没有晶粒间界。

主权项

1.一种半导体器件，它包括：半导体岛，它包含在绝缘表面形成的结晶硅；第一和第二杂质区，它形成于所述半导体岛中；沟道区，它形成于第一与第二杂质区之间；栅电极，它邻近于所述沟道区，在栅电极与沟道区之间，形成一种栅极绝缘膜；粘结到第一和第二杂质区中至少一个区的含有能够促进硅结晶的物质的薄膜，其中，晶体生长由所述薄膜一直延伸至第一和第二杂质区的一部分终止。