发明名称 A method for forming storage node of inner capacitor
摘要
申请公布号 KR100533969(B1) 申请公布日期 2005.12.07
申请号 KR20000058275 申请日期 2000.10.04
申请人 发明人
分类号 H01L27/108;H01L21/02;H01L21/311;H01L21/316;H01L21/768;H01L21/8242;(IPC1-7):H01L27/108 主分类号 H01L27/108
代理机构 代理人
主权项
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