氮化物半导体生长用衬底

摘要

本发明提供能得到高品质的氮化物半导体晶体层的氮化物半导体生长用衬底。与本发明的一实施形态有关的在蓝宝石衬底(1)上生长氮化物半导体层用的氮化物半导体生长用衬底，具备在蓝宝石衬底(1)上另行设置的Al₂O₃层(2)、作为第1层的AlON层(3)和作为第2层的AlN层(4)。关于第1层和第2层，使其按AlON层(3)和AlN层(4)的顺序层叠在Al₂O₃层(2)上。

主权项

1.一种氮化物半导体生长用衬底，在蓝宝石衬底上生长氮化物半导体层用的氮化物半导体生长用衬底中，其特征在于，具备在上述蓝宝石衬底上另行设置的、包含N、O和Al的层，该层形成为，与上述蓝宝石衬底在第1面相接，该第1面中N对于N、O和Al的组成比的比例小于在与上述氮化物半导体层相接的第2面中N对于上述组成比的比例，而且上述第1面中O对于上述组成比的比例大于上述第2面中O对于上述组成比的比例。