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发明名称 FABRICATION METHOD OF NITRIDE SEMICONDUCTOR AND NITRIDE SEMICONDUCTOR STRUCTURE FABRICATED THEREBY
摘要
申请公布号 KR100533636(B1) 申请公布日期 2005.12.06
申请号 KR20030094308 申请日期 2003.12.20
申请人 发明人
分类号 H01L21/20;C30B25/02;C30B29/40;H01L21/205;(IPC1-7):H01L21/20 主分类号 H01L21/20
代理机构 代理人
主权项
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