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经营范围
发明名称
Dual Gate Transistor
摘要
申请公布号
KR100533687(B1)
申请公布日期
2005.12.05
申请号
KR20040011835
申请日期
2004.02.23
申请人
发明人
分类号
H01L29/70;(IPC1-7):H01L29/70
主分类号
H01L29/70
代理机构
代理人
主权项
地址
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