| 摘要 |
本发明揭示一种半导体装置(10)及其制造方法，该半导体装置包含一半导体主体(1)，其具有一高欧姆半导体基板(2)，在该基板上覆盖着一层含有电荷之介电层(3，4)；在该介电层上，配置一或更多被动电子组件(20)，其包含导体轨(20)；一区域(5)存在于该半导体基板(2)与该介电层(3，4)之间的介面上；结果，被该等电荷诱导产生在该装置(10)内之一电气传导通道之传导性系被限制在该区域(5)的所在位置处。根据本发明，该区域(5)藉由沉积形成且包含一半绝缘材料。结果，该装置(10)具有一极低之高频功率损失，因为该反转通道系形成在该半绝缘区域(5)内。该装置(10)进一步允许比较高的温度预算，因此可以允许将主动半导体元件(8)整合到该半导体主体(1)内。用于该区域(5)之一适用的半绝缘材料像是SiC、SIPOS或POLYDOX。 |
