发明名称 矽光电装置
摘要 一种光电积体电路系藉由以下方法制成,其将隔离渠沟形成于一SOI结构内,以形成至少第一及第二矽区;在一第一矽形成步骤期间将一第一矽突块形成于该第一矽区上方,使该第一矽突块形成一光学装置之至少一部分;在一第二矽形成步骤期间将一第二矽突块形成于该第二矽区上方,使该等第一及第二矽形成步骤为分开之矽形成步骤;及至少处理该第二矽区以形成一具有该第二矽突块之电子装置。
申请公布号 TW200539271 申请公布日期 2005.12.01
申请号 TW094109830 申请日期 2005.03.29
申请人 哈尼威尔国际公司 发明人 汤玛斯R 基瑟
分类号 H01L21/02 主分类号 H01L21/02
代理机构 代理人 陈长文
主权项
地址 美国