均匀膜厚的磊晶层与半导体电晶体以及形成均匀厚度之矽-锗基层与制造电晶体的方法

摘要

本发明提供一种形成均匀厚度之磊晶层以改善表面平坦度的方法。首先提供一基底，接着藉由磊晶成长于此基底上形成大于10at.％锗之矽–锗基层。一包含5–10at.％锗之矽–锗层乃藉由磊晶成长而形成放大于10at.％锗之矽–锗基层上以常规化矽–锗基层之整体厚度，且矽–锗层乃包含5–10at.％锗。