具有高K闸极介电层和金属闸极电极的半导体装置的制造方法A METHOD FOR MAKING A SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING A HIGH-K GATE DIELECTRIC LAYER AND A METAL GATE ELECTRODE

摘要

本发明系关于一种半导体装置的制造方法。该方法包含形成第一介电层在一基板上，而后形成一沟槽在第一介电层内。在形成第二介电层在该基板上后，该第一金属层形成在沟槽内，在第二介电层的第一部份上。而后，第二金属层形成在第一金属层上和在第二介电层的第二部份上。