发明名称 在程式化一磁阻记忆装置之期间执行主动场补偿之方法及装置
摘要 本发明揭示一种磁阻记忆体元件(10)之阵列(20)该阵列包含:–施加构件,用以施加电流或电压,在一被选择的磁阻记忆体元件(10s)处产生一用以程式化的磁场;–一磁场感测器单元(50),用以量测该被选择的磁阻记忆体元件(10s)附近的外部磁场;及–调整构件(52),用以调整该电流或电压,在程式化期间,局部补偿该量测到的外部磁场。本发明也揭示一种对应的方法。
申请公布号 TW200539176 申请公布日期 2005.12.01
申请号 TW093135723 申请日期 2004.11.19
申请人 皇家飞利浦电子股份有限公司 发明人 翰斯 马克 伯特 玻维
分类号 G11C11/16 主分类号 G11C11/16
代理机构 代理人 陈长文
主权项
地址 荷兰