发明名称 场发射显示器电子发射源之结构及其制法
摘要 本发明系有关一种场发射显示器电子发射源之结构及其制法,该制法包含提供一形成阴极之第一基板,在该第一基板上利用网印或微影蚀刻技术制作形成含有孔穴的阴极电极层,阴极电极层表面经微影制程制作光阻保护层,再以低黏度奈米碳管溶液在前述光阻保护层涂布并沉积于孔穴,经真空烧结并透过蚀刻技术去除光阻保护层形成位于孔穴内具有平坦表面的电子发射源层;本发明相较知制法具有较佳的平坦性而提高影像与亮度均匀性并增加奈米碳管的密度而助益电子束电子密度的提升;该电子发射源结构包括形成于第一基板的阴极、一形成于前述阴极表面并含有孔穴的阴极电极层以及经蚀刻显像及真空烧结而高密度沉积于孔穴形成平坦表面的电子发射源层。
申请公布号 TW200539222 申请公布日期 2005.12.01
申请号 TW093113949 申请日期 2004.05.18
申请人 东元奈米应材股份有限公司 发明人 郑奎文;萧俊彦;李裕安;蔡金龙
分类号 H01J37/073 主分类号 H01J37/073
代理机构 代理人 谢佩玲
主权项
地址 桃园县观音乡中山路1段1560号