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经营范围
发明名称
氮化镓系发光二极体之制作方法及结构
摘要
一种氮化镓系发光二极体之制作方法与结构,系为先在蓝宝石基板上依序形成一n型氮化镓系半导体层、一主动层以及一p型氮化镓系半导体层,接着,再依序形成一透明导电层与一反射层。然后,将一导电基材之一表面接合于反射层之上,并接着将蓝宝石基板移除,以完整暴露出n型氮化镓系半导体层。最后,再将第一电极与第二电极,分别制作于n型氮化镓系半导体层之上,以及导电基材之另一表面上。
申请公布号
TW200539479
申请公布日期
2005.12.01
申请号
TW093115148
申请日期
2004.05.27
申请人
连勇科技股份有限公司
发明人
朱振甫;郑兆祯;孙健仁
分类号
H01L33/00
主分类号
H01L33/00
代理机构
代理人
蔡坤财
主权项
地址
新竹市新竹科学园区力行五路1号2楼
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