发明名称 氮化镓系发光二极体之制作方法及结构
摘要 一种氮化镓系发光二极体之制作方法与结构,系为先在蓝宝石基板上依序形成一n型氮化镓系半导体层、一主动层以及一p型氮化镓系半导体层,接着,再依序形成一透明导电层与一反射层。然后,将一导电基材之一表面接合于反射层之上,并接着将蓝宝石基板移除,以完整暴露出n型氮化镓系半导体层。最后,再将第一电极与第二电极,分别制作于n型氮化镓系半导体层之上,以及导电基材之另一表面上。
申请公布号 TW200539479 申请公布日期 2005.12.01
申请号 TW093115148 申请日期 2004.05.27
申请人 连勇科技股份有限公司 发明人 朱振甫;郑兆祯;孙健仁
分类号 H01L33/00 主分类号 H01L33/00
代理机构 代理人 蔡坤财
主权项
地址 新竹市新竹科学园区力行五路1号2楼