形成应变通道电晶体的方法、应变通道电晶体对、应变通道N型金氧半与P型金氧半元件对HIGH PERFORMANCE STRAINED CHANNEL MOSFETS BY COUPLED STRESS EFFECTS

摘要

本发明提供一种包括PMOS与NMOS元件对的应变通道电晶体与其形成方法，以改善NMOS元件效能且实质上没降低PMOS元件效能，此方法包括提供半导体基底，形成复数个应变浅沟隔离区于半导体基底中，形成复数个PMOS与NMOS元件于半导体基底上且包括复数个掺杂的源极与汲极区，形成张应变接触蚀刻停止层(CESL)于PMOS与NMOS元件上，以及形成张应变介电绝缘层于CESL上。