低温沉积金属之方法

摘要

本发明提供一种低温在基材上沉积金属薄膜之方法，适用于金属／绝缘体∕金属(MIM)电容元件的制程中。利用小于270℃的沉积温度在基材上沉积金属薄膜，使该金属薄膜具有较佳的均匀性，并且可避免金属薄膜的晶粒形成结块，提高电容元件或是其他设有该金属薄膜之元件的运作完整性。此外本发明之金属薄膜可改善内在的崩溃电压。