光阻图案之形成方法

摘要

[课题]：本发明将以同等于单层光阻制程之简单显像步骤，提供双层光阻制程之光阻图案形成方法。[解决手段]：乃具备：于基板上形成下层光阻膜11之步骤(1)，于下层光阻膜11上形成防扩散膜12之步骤(2)，于防扩散膜12上形成上层光阻膜13之步骤(3)，同时曝光下层光阻膜11及上层光阻膜13之步骤(4)，及同时显像下层光阻膜11和上层光阻膜13之步骤(5)。而且，作为改善耐蚀刻性成分之Si(矽)并不含于下层光阻膜11中但含于上层光阻膜13中。防扩散膜12系防止从上层光阻膜13往下层光阻膜11之扩散，同时亦具有在曝光时被光透过，在显像时被显像液去除之性质。

主权项

1.一种光阻图案形成方法,包括:于蚀刻对象之基板上形成正型下层光阻膜之步骤;于该下层光阻膜上形成正型上层光阻膜之步骤;同时使该下层光阻膜及该上层光阻膜曝光之步骤;及同时使该下层光阻膜及该上层光阻膜显像之步骤;其中用于改善对该蚀刻之耐性的蚀刻耐性改善成分系仅含于该上层光阻膜中。2.如申请专利范围第1项之光阻图案形成方法,其更包括于下层光阻膜和前述光阻膜之间形成防扩散膜之步骤;此防扩散膜具有防止该耐蚀刻性改善成分从上层光阻膜扩散到该下层光阻膜,而且具有在曝光时被光透过、在显像时被显像液去除之性质。3.如申请专利范围第1项之光阻图案形成方法,其中与上层光阻膜比较下,下层光阻膜系对于曝光时的光有较高感度。4.如申请专利范围第2项之光阻图案形成方法,其中与上层光阻膜比较下,下层光阻膜系对于曝光时的光有较高感度。5.如申请专利范围第1项之光阻图案形成方法,其中构成下层光阻膜及上层光阻膜之树脂系聚矽氧烷系树脂或聚羟基苯乙烯系树脂;该耐蚀刻性改善成分系矽。6.如申请专利范围第1项之光阻图案形成方法,其中显像液系硷性显像液;防扩散膜系由以聚乙烯醇或聚乙烯喀烷酮为基础之共聚物所形成,其对该硷性显像液具有可溶性。7.如申请专利范围第6项之光阻图案形成方法,其中藉由调整作为该防扩散膜之原料之单体溶解成分与非溶解成分之共聚合比率来设定该述防扩散膜在硷性显像液中之溶解速度。8.如申请专利范围第1项之光阻图案形成方法,其中以负型下层光阻膜及负型上层光阻膜来取代正型下层光阻膜及正型上层光阻膜。9.一种光阻图案形成方法,包括:于基板上形成具备高感度之光特性的下层光阻膜之步骤;于该下层光阻膜上形成具备非感光性的防扩散膜之步骤;于该防扩散膜上形成具备低感度之光特性的上层光阻膜之步骤;于所形成之膜照射曝光光线而曝光之步骤;及使该经曝光处理的膜被显像处理之步骤。10.如申请专利范围第9项之光阻图案形成方法,其中该防扩散膜之膜厚系设定成比其它光阻膜之膜厚较薄。11.如申请专利范围第9项之光阻图案形成方法,其中下层光阻膜及上层光阻膜系由正型光阻剂所形成。图式简单说明:第1[1]~[3]图系以步骤顺序表示传统之光阻图案形成方法之示意剖面图。第2[1]~[4]图系以步骤顺序表示传统之其他光阻图案形成方法之示意剖面图。第3图系表示本发明之光阻图案形成方法之流程图。第4[1]~[3]图系以步骤顺序表示图3所示之本发明光阻图案形成方法之实施型态示意剖面图。