| 主权项 |
1.一种开口(Opening)之制造方法,至少包括:形成一第一光阻层于一基材上,其中该第一光阻层至少包括一第一图案,且该第一图案至少包括该开口而暴露出部分之该基材;形成一保护层覆盖在该第一光阻层上;以及形成一第二光阻层位于该保护层上,其中该第二光阻层至少包括一第二图案,且该第二图案暴露出部分之该第一图案,并开启该开口。2.如申请专利范围第1项所述之开口之制造方法,其中该第一光阻层之材质以及该第二光阻层之材质为光阻。3.如申请专利范围第1项所述之开口之制造方法,其中该第一光阻层之材质系由正型光阻以及负型光阻中,二者择一。4.如申请专利范围第1项所述之开口之制造方法,其中该第二光阻层之材质系由正型光阻以及负型光阻中,二者择一。5.如申请专利范围第1项所述之开口之制造方法,其中形成该保护层之步骤至少包括:涂覆一水溶剂(Water Solution)于该第一光阻层以及该基材上;进行一烘烤步骤(Baking Step),藉以使该水溶剂与该第一光阻层反应,而在该第一光阻层上形成该保护层;以及进行一清洗步骤,以去除未反应之该水溶剂。6.如申请专利范围第5项所述之开口之制造方法,其中该水溶剂至少包括一水溶性树脂(Water SolubleResin)以及一交连剂(Closslinker)。7.如申请专利范围第6项所述之开口之制造方法,其中该水溶剂更至少包括一热酸产生剂(Thermal AcidGenerator)。8.如申请专利范围第5项所述之开口之制造方法,其中于该烘烤步骤中,更至少包括控制反应温度介于100℃与200℃之间。9.如申请专利范围第5项所述之开口之制造方法,其中于该烘烤步骤中,更至少包括控制反应时间介于30秒与200秒之间。10.如申请专利范围第5项所述之开口之制造方法,其中该清洗步骤系利用去离子水。11.如申请专利范围第1项所述之开口之制造方法,其中该保护层形成后,该开口之宽度较尚未形成该保护层前之该开口的宽度缩减10奈米(nm)至30奈米之间。12.一种开口之制造方法,至少包括:形成一第一光阻层于一基材上,其中该第一光阻层至少包括该开口以及一填充洞(Padding Hole),且该开口与该填充洞暴露出部分之该基材;形成一保护层覆盖在该第一光阻层上;以及形成一第二光阻层位于该保护层以及该填充洞所暴露之该基材上。13.如申请专利范围第12项所述之开口之制造方法,其中该第一光阻层之材质系由正型光阻以及负型光阻中,二者择一。14.如申请专利范围第12项所述之开口之制造方法,其中该第二光阻层之材质系由正型光阻以及负型光阻中,二者择一。15.如申请专利范围第12项所述之开口之制造方法,其中形成该保护层之步骤至少包括:涂覆一水溶剂于该第一光阻层以及该基材上;进行一烘烤步骤,藉以使该水溶剂与该第一光阻层反应,而在该第一光阻层上形成该保护层;以及进行一清洗步骤,以去除未反应之该水溶剂。16.如申请专利范围第15项所述之开口之制造方法,其中该水溶剂至少包括一水溶性树脂以及一交连剂。17.如申请专利范围第16项所述之开口之制造方法,其中该水溶剂更至少包括一热酸产生剂。18.如申请专利范围第15项所述之开口之制造方法,其中于该烘烤步骤中,更至少包括控制反应温度介于100℃与200℃之间。19.如申请专利范围第15项所述之开口之制造方法,其中于该烘烤步骤中,更至少包括控制反应时间介于30秒与200秒之间。20.如申请专利范围第15项所述之开口之制造方法,其中该清洗步骤系利用去离子水。21.如申请专利范围第12项所述之开口之制造方法,其中该保护层形成后,该开口之宽度较尚未形成该保护层前之该开口的宽度缩减10奈米至30奈米之间。22.一种开口之制造方法,至少包括:利用一构装光罩(Packed Mask)形成一第一光阻层于一基材上,其中该第一光阻层至少包括该开口以及一填充洞,且该开口与该填充洞暴露出部分之该基材;形成一保护层覆盖在该第一光阻层上;以及利用一解除光罩(Unpacked Mask)形成一第二光阻层位于该保护层以及该填充洞所暴露之该基材上。23.如申请专利范围第22项所述之开口之制造方法,其中该第一光阻层之材质系由正型光阻以及负型光阻中,二者择一。24.如申请专利范围第22项所述之开口之制造方法,其中该第二光阻层之材质系由正型光阻以及负型光阻中,二者择一。25.如申请专利范围第22项所述之开口之制造方法,其中形成该保护层之步骤至少包括:涂覆一水溶剂于该第一光阻层以及暴露出之该基材上;进行一烘烤步骤,藉以使该水溶剂与该第一光阻层反应,而在该第一光阻层上形成该保护层;以及进行一清洗步骤,以去除未反应之该水溶剂。26.如申请专利范围第25项所述之开口之制造方法,其中该水溶剂至少包括一水溶性树脂以及一交连剂。27.如申请专利范围第26项所述之开口之制造方法,其中该水溶剂更至少包括一热酸产生剂。28.如申请专利范围第25项所述之开口之制造方法,其中于该烘烤步骤中,更至少包括控制反应温度介于100℃与200℃之间。29.如申请专利范围第25项所述之开口之制造方法,其中于该烘烤步骤中,更至少包括控制反应时间介于30秒与200秒之间。30.如申请专利范围第25项所述之开口之制造方法,其中该清洗步骤系利用去离子水。31.如申请专利范围第22项所述之开口之制造方法,其中该保护层形成后,该开口之宽度较尚未形成该保护层前之该开口的宽度缩减10奈米至30奈米之间。32.一种开口之制造方法,至少包括:形成一第一光阻层于一基材上,其中该第一光阻层至少包括该开口以及一填充洞,且该开口与该填充洞暴露出部分之该基材;形成一保护层覆盖在该第一光阻层上,其中形成该保护层之步骤至少包括:涂覆一水溶剂于该第一光阻层以及暴露出之该基材上;以及使该水溶剂于该第一光阻层上进行一交连反应;以及形成一第二光阻层位于该保护层以及该填充洞所暴露之该基材上。33.如申请专利范围第32项所述之开口之制造方法,其中该第一光阻层之材质系由正型光阻以及负型光阻中,二者择一。34.如申请专利范围第32项所述之开口之制造方法,其中该第二光阻层之材质系由正型光阻以及负型光阻中,二者择一。35.如申请专利范围第32项所述之开口之制造方法,其中该水溶剂至少包括一水溶性树脂以及一交连剂。36.如申请专利范围第35项所述之开口之制造方法,其中该水溶剂更至少包括一热酸产生剂。37.如申请专利范围第35项所述之开口之制造方法,其中形成该保护层之步骤中,该交连反应至少包括进行一烘烤步骤,而使该水溶性树脂与该交连剂反应。38.如申请专利范围第37项所述之开口之制造方法,其中于该烘烤步骤中,更至少包括控制反应温度介于100℃与200℃之间。39.如申请专利范围第37项所述之开口之制造方法,其中于该烘烤步骤中,更至少包括控制反应时间介于30秒与200秒之间。40.如申请专利范围第32项所述之开口之制造方法,其中于形成该保护层之步骤中,更至少包括于该交连反应后,进行一清洗步骤,以去除未反应之该水溶剂。41.如申请专利范围第40项所述之开口之制造方法,其中该清洗步骤系利用去离子水。42.如申请专利范围第32项所述之开口之制造方法,其中该保护层形成后,该开口之宽度较尚未形成该保护层前之该开口的宽度缩减10奈米至30奈米之间。图式简单说明:第1图系绘示一般构装光罩的上视图。第2图系绘示一种解除光罩之上视图。第3图系绘示一种解除光罩之上视图。第4图与第5图系绘示习知第一种构装与解除制程的剖面流程图。第6图与第7图系绘示习知第二种构装与解除制程的剖面流程图。第8图与第9图系绘示习知第三种构装与解除制程的剖面流程图。第10图至第13图系绘示依照本发明一较佳实施例之构装与解除制程的剖面流程图。 |
