| 主权项 |
1.一种光学泵送式半导体雷射装置,其包含:-一种可表面发射之垂直发射区(1);-至少一以单石方式积体化而成之泵辐射源(2),其对该垂直发射区(1)进行泵送,其特征为:配置至少一泵辐射源(2)且进行对准,使泵辐射以部份辐射束之形式在不同之辐射方向中入射至该垂直发射区(1),该泵辐射因此具有一种与该垂直发射区(1)之基本模式相重叠之区域,其适合用来激发该基本模式。2.如申请专利范围第1项之半导体雷射装置,其中该部份辐射束来自主辐射方向不同之各种不同之泵辐射源(2)。3.如申请专利范围第2项之半导体雷射装置,其中泵辐射源(2)是一种具有封闭式共振器之半导体雷射,该共振器围绕该垂直发射区。4.如申请专利范围第2项之半导体雷射装置,其中泵辐射源(2)是一种边缘发射式之半导体雷射。5.如申请专利范围第2至4项中任一项之半导体雷射装置,其中各泵辐射源(2)分别具有一种共振器,该共振器具有至少一弯曲之共振器终端镜面(3)。6.如申请专利范围第2至4项中任一项之半导体雷射装置,其中各泵辐射源(2)分别具有一种共振器,该共振器具有至少一共振器终端镜面配置,其由二个互相配置成直角之直线式共振器终端镜面(4)所构成。7.如申请专利范围第6项之半导体雷射装置,其中配置二个直线式共振器终端镜面(4),使泵辐射在共振器中在该共振器上经历全反射。8.如申请专利范围第2至4项中任一项之半导体雷射装置,其中一个或多个泵辐射源(2)具有一种折叠式共振器,其包含二个共振器终端镜面和至少一个内部共振器镜面(5)。9.如申请专利范围第8项之半导体雷射装置,其中配置至少一内部共振器镜面(5),使泵辐射在共振器中在该共振器上经历全反射。10.如申请专利范围第8项之半导体雷射装置,其中共振器终端镜面是断开之晶体多角形平面且内部共振器镜面(5)是已蚀刻之镜面。11.如申请专利范围第1项之半导体雷射装置,其中该部份辐射束来自一种泵辐射源(2),其辐射多次地在不同方向中经由该垂直发射区(1)而发出。12.如申请专利范围第11项之半导体雷射装置,其中该泵辐射源(2)之共振器具有一种共振器终端镜面,其由一种在垂直发射区(1)之主辐射方向中成抛物形而弯曲之已蚀刻之镜面所构成,其中该垂直发射区(1)配置在该成抛物形而弯曲之已蚀刻之镜面之焦点处。13.如申请专利范围第11项之半导体雷射装置,其中该泵辐射源(2)是一种半导体环形雷射。14.如申请专利范围第13项之半导体雷射装置,其中该半导体环形雷射之共振器具有至少三个内部共振器镜面(5)。15.如申请专利范围第14项之半导体雷射装置,其中配置至少三个内部共振器镜面(5),使泵辐射在共振器中在该共振器上经历全反射。16.如申请专利范围第1项之半导体雷射装置,其中接面由至少一泵辐射源(2)弯曲至该垂直发射区(1)且其特征是折射率已改变,使泵辐射聚焦在该垂直发射区(1)中。图式简单说明:第1图 本发明半导体雷射装置之第一实施例之俯视图。第2图 本发明半导体雷射装置之第二实施例之俯视图。第3图 本发明半导体雷射装置之第三实施例之俯视图。第4图 本发明半导体雷射装置之第四实施例之俯视图。第5图 本发明半导体雷射装置之第五实施例之俯视图。第6图 本发明半导体雷射装置之第六实施例之俯视图。 |
