晶圆缺陷检测方法

摘要

本发明揭露了一种制程晶圆缺陷的检测方法，系利用超音波之穿透性，使用一超音波发射装置发射超音波来扫瞄距离晶圆边缘6mm之带状范围，同时一超音波接收装置会接收扫瞄后之超音波，根据发射时与接收时超音波能量(振幅)差异即可检测出扫瞄区域内是否有缺陷存在。上述制程晶圆缺陷的检测方法，包括在进行超音波检测的同时，以一固定速率旋转该晶圆，以利晶圆表面均匀受检测。

主权项

1.一种晶圆缺陷检查方法,该方法至少包含:放置一晶圆于旋转装置上;以一定速率旋转该晶圆,同时从一固定发射装置上发射一具特定频率之检测超音波于该旋转晶圆上,用以检测该晶圆旋转一周时于特定区域内之缺陷;使用一接收装置读取扫瞄后之该检测超音波振幅,并将扫瞄前与扫瞄后之该检测超音波振幅互相比较以产生一比値;连续记录在该晶圆旋转一周下,该晶元于该特定区域内受检测后所得到的比値。2.如申请专利范围第1项之晶圆缺陷检查方法,其中该定速率系指旋转该晶圆一周时间可为每5至10秒。3.如申请专利范围第1项之晶圆缺陷检查方法,其中该特定区域系指距该晶圆边缘6mm之环状带区域。图式简单说明:第一图所示为晶圆上视图。第二图所示为为一晶圆缺陷概略图。第三图所示为根据本发明利用超音波检测晶圆缺陷所制造检测系统部分元件剖面示意图。阅第四图所示为利用本发明之方法扫瞄半导体晶圆所得到之波形图。