| 主权项 |
1.一种高频半导体装置,包含:一接地板设在一半导体基材上;多数的线导体设在该接地板上,乃形成一多层结构,而以树脂绝缘材料制成的各层间绝缘膜介设于其间,该等线导体包括一设于该等层间绝缘膜中最上方者的一线导体;一接垫设在最顶部之一层间绝缘膜上;及一凹槽设在该最顶部之一层间绝缘膜上,而介于该接垫与该最顶部之一层间绝缘膜上的线导体之间。2.如申请专利范围第1项之高频半导体装置,其中该凹槽系被设成包围该接垫。3.如申请专利范围第1项之高频半导体装置,其中该凹槽系被设在最顶部之一层间绝缘膜上的接垫与线导体之间的部份区域中。4.如申请专利范围第3项之高频半导体装置,其中该接垫系被设在沿该半导体基材边缘之一周边区域处,而该凹槽系被设在该半导体基材上除了该周边区域以外的部份区域中。5.如申请专利范围第3项之高频半导体、装置,其中有多数的该等凹槽设在该最顶部之一层间绝缘膜上。6.如申请专利范围第1项之高频半导体装置,乃包含一贯孔被设在该最顶部之一层间绝缘膜中,而该接垫系经由该贯孔来连接于一电位。7.如申请专利范围第1项之高频半导体装置,乃包含一线导体连接于该设在最顶部之一层间绝缘膜上的接垫,且该凹槽系被设在一可供该线导体通过以连接该接垫之连接部份以外的区域中。8.如申请专利范围第1项之高频半导体装置,其中该凹槽系呈环状地设在该半导体基材中,且该接垫系被设在最顶部之一层间绝缘膜上而位于该环状凹槽的外部。9.如申请专利范围第1项之一高频半导体装置,其中该层间绝缘膜系由聚醯亚胺或苯环丁烯所制成。图式简单说明:第1图为具有习知微带传输线之MMIC的剖视图;第2图为说明本发明之基本概念的剖视图;第3图为本发明一实施例的平面图;第4图为沿第3图之A-A'线的剖视图;第5图为本发明另一实施例的平面图;第6图为本发明又另一实施例的平面图;及第7图为本发明再另一实施例的平面图。 |
