发明名称 用于半导体元件之振荡器电路
摘要 本发明揭示一种用于半导体装置之一振荡器电路,藉分离一闸电压与一参考电压控制一振荡器,而不拘于电晶体与电阻器、一电源电压与一温度之一过程之变化,可产生具有一稳定周期之内部时钟,且依据稳定的内部时钟可正常地运算晶片功能而不致因外部因素而遭受大的变动。
申请公布号 TWI244825 申请公布日期 2005.12.01
申请号 TW093138679 申请日期 2004.12.14
申请人 海力士半导体股份有限公司 发明人 李锡柱
分类号 H03K3/023 主分类号 H03K3/023
代理机构 代理人 何金涂 台北市大安区敦化南路2段77号8楼;林荣琳 台北市大安区敦化南路2段77号8楼
主权项 1.一种用于半导体装置之振荡器电路,包括:一参考电压产生单元,用以依一赋能信号及一能隙电压而产生一参考电压,并用以改变该参考电压之电压准位以补偿一内部时钟信号因外部因数所致的周期变化;一闸电压产生单元,系依该赋能信号,藉一电源电压之电压分配所驱动而用以产生一闸电压,并用以改变该闸电压之电压准位而补偿该内部时钟信号因外部因数所致的周期变化;及一振荡器单元,系用以产生依该赋能信号具有一预定周期的内部时钟信号、参考电压、及闸电压。2.如申请专利范围第1项之振荡器电路,其中该参考电压产生单元包括:一输入电压减少单元,用以依该赋能信号及该能隙电压减少该电源电压至一个预定的准位,并输出结果电压作为一第1电压;一输出控制单元,用以分配该第1电压,并产生一由于该装置之临界电压及温度等变化所导致变动的一第2电压,俾用以补偿因外部因数所致内部时钟信号之周期;及一输出单元,用以增加该第2电压之电压准位,并输出结果电压作为该参考电压。3.如申请专利范围第2项之振荡器电路,其中该输出控制单元包括:从动于该第1电压之一第1电晶体,用以将该第1电压施加于该第2电压输出端;连接于该第1电压输入端及该第2电压输出端间、并依该第2电压输出端所驱动之一第1本质电晶体;连接于该第2电压输出端及一第1节点间、并依该第1节点所驱动之一第2本质电晶体;及连接于该第1节点及一接地电压间、并依该第1节点所驱动之一第2电晶体。4.如申请专利范围第1项之振荡器电路,其中该闸电压产生单元包括:一依电源电压所驱动之第1电晶体,用以将电源电压传输于该闸电压输出端;连接于该电源电压及该闸电压输出端间之一第1阻;及串联连接于该闸电压输出端及一接地电源间、并分别依闸电压及赋能信号所驱动之一第2电晶体及一第3电晶体。5.如申请专利范围第1项之振荡器电路,其中该振荡器单元包括:依该赋能信号所驱动之一第1控制电压产生单元,用以传输一第1控制电压,以依据一变换的输入信号、闸电压及参考电压决定时钟周期;依该赋能信号所驱动之一第2控制电压产生单元,用以传输一第2控制电压,以依据一输入信号、闸电压及参考电压决定时钟周期;及一SR锁存器单元,用以依据该第1项及第2控制电压而产生时钟信号。6.如申请专利范围第5项之振荡器电路,其中各该第1及第2控制电压产生单元分别包括:连接于该电源电压及该第1节点间,并依该输入信号所驱动之一第一PMOS电晶体;连接于该第一节点并依该输入信号所驱动之一第一NMOS电晶体;连接于该第一NMOS电晶体及该接地电源间,并依该闸电压所驱动之一第二NMOS电晶体;连接于该第1节点及该接地电源间之一第1电容器;一比较器,其具有负极端连接以接收来自该第1节点之电压,并具有正极端连接以接收参考电压,且可产生控制电压;及连接于该电源电压及该比较器输出端间,并依该赋能信号所驱动之一第三PMOS电晶体。图式简单说明:第1图为依本发明用于半导体装置之振荡器电路方块图。第2图为依本发明之参考电压产生单元电路图。第3图为依本发明闸电压产生单元电路图。第4图为依本发明振荡器单元之电路图。第5图为依本发明之周期变化曲线图。
地址 韩国