| 主权项 |
1.一种于快速热制程中加热一半导体晶圆之方法,其中该半导体晶圆包含一基材表面以及一元件表面,该方法包含:翻转该半导体晶圆,使该半导体晶圆之该基材表面于一快速热制程反应室为受热表面;以及进行该半导体晶圆之快速热制程程序,于该快速热制程反应室中。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该基材表面之材质为矽。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该元件表面之材质包含有氮化物、氧化物、多晶矽或金属铜。4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该半导体晶圆系经由0.13微米(m)以下的设计规则设计而成。5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该翻转步骤系于该快速热制程反应室之外部或内部进行。图式简单说明:第1A图为依据传统加热方式所进行之实验结果曲线图。第1B图为依据传统加热方式所进行之实验结果曲线图。第2A图为依据本发明之一较佳实施例所进行之实验结果曲线图。第2B图为依据本发明之一较佳实施例所进行之实验结果曲线图。第3图为符合本发明之一较佳实施例之执行步骤流程图。 |
