| 主权项 |
1.一种异向导电性接着膜,系由:第1绝缘性接着剂层;第2绝缘性接着剂层,其硬化后之弹性率较第1绝缘性接着剂层之硬化后的弹性率为低;导电粒子,其分散于第1绝缘性接着剂层或第2绝缘性接着剂层之至少一者中;所构成;第1绝缘性接着剂层之硬化后的弹性率c1与第2绝缘性接着剂层之硬化后的弹性率c2的比c1/c2为10以上。2.如申请专利范围第1项之异向导电性接着膜,其中,第1绝缘性接着剂层之厚度t1与第2绝缘性接着剂层之厚度t2的比t1/t2为0.15-7。3.如申请专利范围第1或2项之异向导电性接着膜,其中,第1绝缘性接着剂层系由使用着咪唑系潜在性硬化剂的热硬化性环氧系接着剂所构成,第2绝缘性接着剂层系由使用着过氧化物系硬化剂的热硬化性丙烯酸酯系接着剂所构成。4.如申请专利范围第1或2项之异向导电性接着膜,其中,导电粒子系分散于第2绝缘性接着剂层。5.如申请专利范围第3项之异向导电性接着膜,其中,导电粒子系分散于第2绝缘性接着剂层。6.一种连接方法,系以申请专利范围第1~5项中任一项之异向导电性接着膜来将半导体晶片与电路基板做电气、机械连接;其中,异向导电性接着膜之第1绝缘性接着剂层系配置于半导体晶片侧,第2绝缘性接着剂层系配置于电路基板侧。7.如申请专利范围第6项之连接方法,其中,电路基板系以聚酯为主之电路基板。8.一种连接构造体,系以申请专利范围第1~5项中任一项之异向导电性接着膜来将半导体晶片与电路基板做电气、机械连接所得者;其中,异向导电性接着膜之第1绝缘性接着剂层之硬化物系与半导体晶片接着,第2绝缘性接着剂层之硬化物系与电路基板接着。9.如申请专利范围第8项之连接构造体,其中,电路基板系以聚酯为主之电路基板。图式简单说明:图1所示系本发明之连接方法的说明图。图2所示系本发明之连接方法的说明图。图3所示系本发明之连接方法的说明图。 |
