| 主权项 |
1.一种改进光阻涂布的方法,包括:提供一具有一沟槽的基板;润湿该基板及该沟槽;形成一第一光阻于该润湿的沟槽中并填满该沟槽;固化该第一光阻;灰化该第一光阻之表面;以及形成一第二光阻于该第一光阻上。2.如申请专利范围第1项所述之改进光阻涂布的方法,其中该基板是一半导体基板。3.如申请专利范围第1项所述之改进光阻涂布的方法,其中该沟槽该沟槽的深宽比为0.25~6。4.如申请专利范围第1项所述之改进光阻涂布的方法,其中该第一光阻经加热后,其表面低于该基板表面。5.如申请专利范围第1项所述之改进光阻涂布的方法,其中该润湿步骤为将该基板浸泡于一溶剂中。6.如申请专利范围第5项所述之改进光阻涂布的方法,其中该润湿步骤尚包括旋转该基板以移除附着于该基板及该沟槽表面以外之该溶剂。7.如申请专利范围第6项所述之改进光阻涂布的方法,其中该溶剂为OK73。8.如申请专利范围第1项所述之改进光阻涂布的方法,其中形成该第一光阻的于该润湿的沟槽中的方法为涂布该第一光阻于该润湿的沟槽中和该基板上及定义该第一光阻以移除沟槽以外的该第一光阻。9.如申请专利范围第1项所述之改进光阻涂布的方法,其中固化该第一光阻的方法是加热该第一光阻。10.如申请专利范围第9项所述之改进光阻涂布的方法,其中加热该第一光阻的温度为150℃~220℃。11.如申请专利范围第1项所述之改进光阻涂布的方法,其中灰化该第一光阻之表面方法是以一氧气灰化(O2 ash)该第一光阻之表面。12.如申请专利范围第1项所述之改进光阻涂布的方法,尚包括重复该固化光阻,灰化光阻之表面及形成后续光阻层的步骤。13.如申请专利范围第1项所述之改进光阻涂布的方法,其中该沟槽系为一墨水腔。14.一种改进光阻涂布的方法,包括:提供一具有一沟槽的基板;将该基板浸泡于一溶剂中;旋转该基板以移除附着于该基板及该沟槽表面以外之该溶剂;涂布该第一光阻于该润湿的沟槽中及该基板上;定义该第一光阻以移除该沟槽以外的该第一光阻;加热该第一光阻以使该第一光阻表面低于该基板表面;以氧气灰化该第一光阻之表面;以及涂布一第二光阻于该第一光阻及该基板上。15.如申请专利范围第14项所述之改进光阻涂布的方法,其中该基板是一半导体基板。16.如申请专利范围第14项所述之改进光阻涂布的方法,其中该沟槽的深宽比为0.25~6。17.如申请专利范围第14项所述之改进光阻涂布的方法,其中该溶剂为OK73。18.如申请专利范围第14项所述之改进光阻涂布的方法,其中加热该第一光阻的温度为170℃~220℃。19.如申请专利范围第14项所述之改进光阻涂布的方法,其中形成一第二光阻于该第一光阻上的步骤尚包括重复该加热光阻,灰化光阻之表面及涂布后续光阻层的步骤。20.如申请专利范围第14项所述之改进光阻涂布的方法,其中该沟槽系为一墨水腔。21.一种改进光阻涂布的方法,包括:提供一具有一沟槽的基板;形成一第一光阻于该基板上并填满该沟槽;修饰该第一光阻使该第一光阻表面低于该沟槽表面;以及形成一第二光阻于该第一光阻上。22.如申请专利范围第21项所述之改进光阻涂布的方法,其中该基板是一半导体基板。23.如申请专利范围第21项所述之改进光阻涂布的方法,其中该沟槽的深宽比为0.25~6。24.如申请专利范围第21项所述之改进光阻涂布的方法,其中修饰该第一光阻的方法是加热该第一光阻及回蚀刻该第一光阻。25.如申请专利范围第24项所述之改进光阻涂布的方法,其中加热该第一光阻的温度为100℃~180℃。26.如申请专利范围第24项所述之改进光阻涂布的方法,其中回蚀刻该第一光阻的方法是一含氧的电浆蚀刻该第一光阻。27.如申请专利范围第24项所述之改进光阻涂布的方法,其中回蚀刻该第一光阻的方法是一丙酮或芳香族的湿蚀刻该第一光阻。28.如申请专利范围第24项所述之改进光阻涂布的方法,其中回蚀刻该第一光阻的方法是以一含硫酸及双氧水溶液的湿蚀刻该第一光阻。29.如申请专利范围第21项所述之改进光阻涂布的方法,尚包括重复修饰光阻及形成后续的光阻层的步骤。图式简单说明:第1图显示习知之一种压电式喷墨头的剖面示意图。第2图显示习知之另一种喷墨头的剖面示意图。第3A至3D图显示习知填入光阻时产生之气泡导致光阻变形示意图。第4A至4I图显示本发明第一实施例涂布光阻制程之剖面示意图。第5A至5D图显示本发明第二实施例涂布光阻制程之部面示意图。 |
