在半导体制程中用于形成次微影术开口的方法

摘要

一种藉由在第一层上生成一微影开口以在第一层的第一材料中形成一次微影开口之第一方法，其中微影开口位于所需要的次微影开口位置上方。第一层中的第一材料从微影开口部份地移除。与第一层相同的材料之一可牺牲层系贴附地沉积以配合第一层的轮廓，包括微影开口上方。所产生的结构系被异向性蚀刻以蚀刻可牺牲层及第一层，以在微影开口内形成次微影开口。一种用于形成次微影开口之第二方法系沉积一诸如多晶矽等可牺牲层。一微影开口生成于可牺牲层中，其中微影开口定位在所需要的次微影开口位置上方。自微影开口移除可牺牲层。藉由使可牺牲材料转换成一第二可牺牲材料令可牺牲材料随后侧向扩张，故将微影开口的尺寸减小至次微影开口。可藉由将可牺牲的多晶矽转换成二氧化矽来达成此作用。随后可使用经转换的二氧化矽作为一遮罩层来蚀刻下方的层。

主权项

1.一种在半导体制程中用于在一第一层的一第一材料中形成一次微影开口之方法,该方法包含:在该第一层中生成一微影开口,该微影开口位于该所需要的次微影开口的位置上方;在该微影开口中部份地移除该第一材料;一可牺牲层对于该第一层轮廓贴附地沉积在该第一层上方,包括该微影开口上方;该可牺牲层由该第一材料制成;及异向性蚀刻该可牺牲层及该第一层以在该微影开口内形成该次微影开口。2.如申请专利范围第1项之方法,其中该生成步骤进一步包含:将一层光阻沉积在该第一层上;暴光该层光阻以在该所需要的次微影开口的位置上方形成一包含一潜在微影开口之潜在影像;及在该微影开口中完全地移除该光阻,藉以暴露该第一层。3.如申请专利范围第2项之方法,进一步包含:在该部份移除步骤之后及该可牺牲层的该沉积步骤之前,移除所有该光阻。4.如申请专利范围第3项之方法,其中该第一材料为多晶矽或非晶矽。5.一种在半导体制程中用于在一第一层的一第一材料中形成一次微影开口之方法,该方法包含:在该第一层上沉积一可牺牲层的一第一可牺牲材料;在该可牺牲层上生成一微影开口,该微影开口定位在该所需要的次微影开口的位置上方;在该微影开口中移除该第一可牺牲材料;将该第一可牺牲材料转换成一第二可牺牲材料令该第一可牺牲材料侧向扩张,故使该微影开口的尺寸减小至一次微影开口;及利用该第二可牺牲材料作为一遮罩层来蚀刻该第一层,以在该第一层中形成该次微影开口。6.如申请专利范围第5项之方法,其中该生成步骤进一步包含:暴光该层光阻以在该所需要的次微影开口的位置上方形成一包含一潜在微影开口之潜在影像;及在该微影开口中移除该光阻,藉以暴露该可牺牲层。7.如申请专利范围第6项之方法,进一步包含:在该移除步骤之后及该扩张步骤之前,移除所有该光阻。8.如申请专利范围第7项之方法,其中该第一可牺牲材料为矽、多晶矽或非晶矽。9.如申请专利范围第8项之方法,其中该扩张步骤包含氧化该第一可牺牲材料以产生(二)氧化矽。10.如申请专利范围第9项之方法,其中该第一层为一包含一层多晶矽及一层氮化矽之复合层,且使该氮化矽紧邻该可牺牲层。图式简单说明:第1a-1g图为本发明之一种在半导体制程中用于在第一层的第一材料中形成次微影开口之方法的横剖视图;第2a-2f图为本发明之另一种在半导体制程中用于在第一层的第一材料中形成次微影开口之方法的横剖视图。