| 主权项 |
1.一种半导体积体电路装置,系组设有半导体层、将前述半导体层区分成复数个岛区域之分离区域、在前述复数个岛区域中至少组装使马达驱动之驱动元件、以及控制该驱动元件之控制元件的半导体积体电路装置,其特征为:于其他岛区域系形成二极体元件;前述二极体元件之阳极区域系与形成前述控制元件之岛区域的分离区域电性连接;前述二极体元件之阴极区域系与形成前述驱动元件之岛区域电性连接。2.如申请专利范围第1项之半导体积体电路装置,其中,前述二极体元件系形成于前述驱动元件之附近区域。3.如申请专利范围第1或2项之半导体积体电路装置,其中,在配置成包围形成前述驱动元件之岛区域的分离岛区域,形成前述二极体元件。4.如申请专利范围第3项之半导体积体电路装置,其中,在前述分离岛区域系形成有施加电源电位的扩散区域。5.一种半导体积体电路装置,系组设有半导体层、将前述半导体层区分成复数个岛区域之分离区域、在前述复数个岛区域中至少组装使马达驱动之驱动元件、以及控制该驱动元件之控制元件的半导体积体电路装置,其特征为:形成前述驱动元件之岛区域的分离区域与形成前述控制元件之岛区域的分离区域系电性连接。6.如申请专利范围第5项之半导体积体电路装置,其中,形成前述驱动元件之岛区域之分离区域与形成前述控制元件之岛区域之分离区域,系藉由前述半导体层上面之金属布线而电性连接。7.如申请专利范围第5或6项之半导体积体电路装置,其中,在配置成包围形成前述驱动元件之岛区域的分离岛区域,形成有施加电源电位之扩散区域。图式简单说明:第1图系说明本发明之一实施型态之半导体积体电路装置之剖面图。第2图系说明本发明之一实施型态之半导体积体电路装置之剖面图。第3图系说明用于本发明之一实施型态之半导体积体电路装置之二极体之(A)剖面图、(B)剖面图。第4图系本发明之一实施形态之半导体积体电路装置之电路图。第5图系说明本发明之一实施型态之半导体积体电路装置之剖面图。第6图系说明本发明之一实施形态之半导体积体电路装置之上面图。第7图系关于本发明之一实施形态之半导体积体电路装置中(A)元件构造,显示功率NPN电晶体之寄生电流値与横型PNP电晶体之基极电流値的关系图,而关于(B)施加电压,则系显示功率NPN电晶体之寄生电流値与横型PNP电晶体之基极电流値之关系图。 |
