| 主权项 |
1.一种半导体显示装置,其具备有:与画素区域内之各显示元件相对应而形成在前述画素区域内之驱动元件;以及设于前述画素区域外并用以驱动前述驱动元件之驱动电路,其特征为:构成前述驱动元件之多晶半导体之结晶粒之粒径,系设定成比构成前述驱动电路内之元件的多晶半导体之结晶粒的粒径更小。2.如申请专利范围第1项之半导体显示装置,其中,构成前述驱动元件及驱动电路内之元件的多晶半导体,系形成在透明基板上所形成的缓冲层上,而在与前述透明基板以及前述缓冲层之间的前述驱动元件相对应的部分,则系形成金属层而构成。3.如申请专利范围第2项之半导体显示装置,其中,前述金属层系由用以遮蔽来自前述透明基板侧之光线对于前述驱动元件的照射的金属所构成的遮光层。4.如申请专利范围第2项或第3项之半导体显示装置,其中,系对于前述金属层,施加与形成在前述金属层之上方并扫描所对应的前述画素区域之驱动元件的扫描线相同之信号,或是定电压。5.一种半导体显示装置之制造方法,其系为了形成与画素区域内之各显示元件相对应而设置之驱动元件,以及用以驱动前述驱动元件之驱动电路,而形成在绝缘层上并对半导体层照射光线能量,以使前述半导体层多晶化的制造方法,其特征为:在进行前述光线能量的照射之前,于前述绝缘层的下方而且与前述驱动元件相对应之区域形成金属层之后,再藉由调整前述金属层以及前述驱动元件间之前述绝缘层的膜厚,而将由前述光线能量而结晶化的前述驱动元件的部分的半导体层之粒径,设定成比前述驱动电路之部分的半导体层的粒径更小。6.一种半导体显示装置之制造方法,其系于透明基板上形成与显示装置之画素区域内的各显示元件相对应而设置的驱动元件,以及用以驱动前述驱动元件的驱动电路的制造方法,其特征为具备有:与形成前述透明基板上之前述驱动元件之区域相对应而形成由金属所构成的遮光层的步骤;于前述透明基板以及前述遮光层上形成缓冲层的步骤;于前述缓冲层上形成半导体层的步骤;以及对前述半导体层照射雷射而使前述半导体层多晶化的步骤。图式简单说明:第1图系有关将本发明之半导体显示装置应用在液晶显示装置之一实施形态之电路图。第2图(a)及(b)系显示前述实施形态之剖面构造之剖视图。第3图系显示玻璃基板上或是遮光层上之氧化矽之膜厚,与多晶矽之结晶粒之粒径间之关系之图。第4图(a)至(e)系显示前述实施形态之液晶显示装置之制造程序之剖视图。第5图系显示本发明之液晶显示装置之遮光层之另一连接方法的电路构成图。第6图系显示本发明之实施形态之另一显示装置之概略构成图。第7图(a-1)、(a-2)、(b-1)及(b-2)系说明多晶矽之结晶粒之粒径,与粒界在电晶体之通道所占比例间之关系的说明图。 |
