发明名称 绕射光栅及其应用
摘要 一种绕射光栅(1)具有复数个彼此定期相互接续之平行绕射结构。后者被安置于支架(2)上,且各纳入一个延伸自该支架(2)之基底区域(4)的板条(3)。该板条具有实质矩形横断面。板条(3)的宽度w小于100毫微米,较佳位于20毫微米及60毫微米之间,更佳位于50毫微米区域中。绕射光栅(1)的优异应用系为Littrow配置,较佳为入射光束(8)的第三阶数,特别是小于250毫微米的光波长。
申请公布号 TWI244560 申请公布日期 2005.12.01
申请号 TW090110863 申请日期 2001.05.31
申请人 卡尔蔡司雷射光学有限公司 发明人 贝尔恩德.克勒曼;克劳德.海德曼
分类号 G02B5/18 主分类号 G02B5/18
代理机构 代理人 蔡清福 台北市中正区忠孝东路1段176号9楼
主权项 1.一种使用具有复数个彼此周期相互接续之平行绕射结构之绕射光栅的方法,该绕射光栅其被安置于支架上,且各纳入一个延伸自该支架之基底区的板条,其特征在于:该板条(3;103;203;303)呈现实质矩形横断面,其中被测量垂直于该板条(3;103;203;303)之中央平面(7;307)且平行于基底区域(4;104;204;304)之该板条(3;103;203;303)的宽度w,系小于100毫微米,其中该方法包含下列步骤:因应该绕射光栅使一入射光源之波长及一光源之入射角匹配该绕射光栅;以及在Littrow配置中使用该绕射光栅作为反射光栅。2.依据申请专利范围第1项之使用绕射光栅的方法,其特征在于该基底区域(4;104;204;304)上之该板条(3;103;203;303)之该高度D大于200毫微米。3.依据申请专利范围第1项之使用绕射光栅的方法,其特征在于该板条(3)之该中央平面(7)垂直于该基底区域(4)。4.依据申请专利范围第1项之使用绕射光栅的方法,其特征在于该板条(3)之该中央平面(307)包括非90度角的该基底区域(304)。5.依据申请专利范围第1项之使用绕射光栅的方法,其特征在于该绕射光栅系由石英玻璃或矽组成。6.依据申请专利范围第1项之使用绕射光栅的方法,其特征在于该绕射光栅系由搀杂石英组成。7.依据申请专利范围第1项之使用绕射光栅的方法,其特征在于该绕射光栅系包括介电层系统。8.依据申请专利范围第7项之使用绕射光栅的方法,其特征在于为该介电层系统包括复数个氧化铝及氟化镁的相互接续层。9.依据申请专利范围第7项之使用绕射光栅的方法,其特征在于该介电层系统包括复数个氟化镧及氟化镁的相互接续层。10.依据申请专利范围第1项之使用绕射光栅的方法,其特征在于该绕射光栅系包括一个增加反射率的外层(115)。11.依据申请专利范围第10项之使用绕射光栅的方法,其特征在于该外层(115)系为铝外层。12.依据申请专利范围第1项之使用绕射光栅的方法,系为较高于入射光波长的第一阶数。13.依据申请专利范围第1项之使用绕射光栅的方法,系针对具有小于250毫微米之波长之UV光(8;9;308)的绕射。14.依据申请专利范围第1项之使用绕射光栅的方法,系为干涉长度测量期间的相位光栅。15.依据申请专利范围第1项之使用绕射光栅的方法,其中该板条(3;103;203;303)的宽度w,系位于20毫微米及60毫微米之间。16.依据申请专利范围第15项之使用绕射光栅的方法,其中该板条(3;103;203;303)的宽度w,系位于50毫微米区域中。17.依据申请专利范围第2项之使用绕射光栅的方法,其中该板条(3;103;203;303)之该高度D系位于200毫微米及600毫微米之间。18.依据申请专利范围第12项之使用绕射光栅的方法,其中较高于第一阶数者包含入射光波长的第三阶数。
地址 德国